2024届新高考普通高中学业水平选择性考试F-XKB-L(三)3化学答案正在持续更新，目前2024-2025衡水金卷先享题答案网为大家整理了相关试题及答案，供大家查缺补漏，高效提升成绩。

NaOH(aq)HCI,H.O,NH.CI(aq)电解液一两节出一氧亿P一元淀Pua,还眼-H单质滤渣1滤液2请回答下列问题：(1)已知：阳离子杂质在“调节pH"时均已除去。则“滤渣1"的主要成分除AgOH(或AgO)外，还有」。(填化学式)(2)电解精炼银与电解精炼铜的原理相似，试从电解精炼铜的角度分析电解精炼银的电解液中含有Fe3+的原因：。(用电极反应式和离子方程式回答)(3)“氧化”时发生反应的离子方程式为(4)“沉淀”时加入的NH,CI(aq)需过量，目的为(5)“还原”时，可选用HCOOH、N,H,·H0或H作还原剂，写出H,热还原(NH):PdCl的化学方程式：当与足量的(NH,),PdCl6反应得到等量的Pd时，消耗HCOOH、N2H·H2O、H2的物质的量之比为—。(已知：HCOOH、N,H,·HO、H2的氧化产物均为无污染的物质)(仁)选考题：共15分。请考生从给出的两道题中任选一题作答。如果多做，则按所做的第一题计分。18.(15分)（物质结构与性质）半导体材料对现代信息技术的发展至关重要。硅(Si)、砷化铝(AAs)均为半导体材料。(I)基态砷原子的核外电子排布式为一。第一电离能：As(填“>”或“<”)S。(2)高纯硅可用于制造芯片，其制备过程中会产生SiH,CI、SiH2Cl2、SiHCI3、SiCL等物质。熔沸点：SiH,(填“>”或“<”)SiCL,原因是(3)SiC1,可发生水解反应，水解机理如图1。SiC1,和SiCL(OH)中Si采取的杂化类型分别为:Si、O,C1的电负性由大到小的顺序为(填元素符号)。CICH-S-CI Ha9C1-s-0HCT CH-S-OHHOAs含s.P、d轨道的杂化图1图2(4)一种新型半导体材料砷化硼的晶胞结构示意图如图2。砷化硼的化学式为晶胞中As的配位数为,该晶胞中As原子处于B原子形成的,该四面体”或“正人面体”)空隙中，设该晶胞的边长均为apm,阿伏加德罗常数的值为(填“正Nw,则该晶体的密度为（列出计算式）g·cm3。19.(15分)（有机化学基础）卟啉类化合物在生物仿生、催化反应、光敏剂药物等领域有广泛应用。一种叶啉金属配合物的合成路线如图：{离三化学第？页（共8页）】·22-12-265C·