[青桐鸣]2025届普通高等学校招生全国统一考试 青桐鸣高二联考(3月)物理(B)答案正在持续更新，目前2024-2025衡水金卷先享题答案网为大家整理了相关试题及答案，供大家查缺补漏，高效提升成绩。

21.（12分)在芯片制造过程中，离子注入是其中一道重要的工序.离子注入工作原理的示意图如图所示.静止于A处的离子，经电压为U的加速电场加速后，沿图中半径为R的虚线通过圆弧形静电分析器（静电分析器通道内有均匀辐向分布的电场)后，从P点沿竖直方向进入半径也为R的圆柱形的匀强电场和匀强磁场叠加区域，磁场方向行于圆柱中心轴线（垂直于纸面）向外，电场的方向与磁场方向相同，电场强度大小E2一，过P点的直径PQ沿竖直方向，没有加匀强电场时，离子经磁场偏转，最后垂直打在竖直放置的硅片上的O点(O点未画出).已知离子的质量为m,电荷量为q,硅片到圆柱形磁场中心轴线之间的距离为1.5R,不计离子的重力.求：(I)离子进入圆形匀强磁场区域时的速度大小和静电分析器通道内虚线处电场强度的大小E1:(2)匀强磁场的磁感应强度B的大小.(3)在硅片面上，以过O点竖直向下为y轴、水向外为x轴，若将静电分析器和加速电场整体向左移圆柱形区域电场和磁场都存在时，求离子最后打在硅片上的坐标.U+静电分析器ER加速电场D●●E2B硅片Q第(21)题图高二物理学科试题第8页（共8页）